斯达半导业绩承压原因，IGBT 价格战、SiC 产能进展

不少投资者留意到斯达半导阶段性增收不增利、净利润下滑，核心来自行业和公司自身两层因素。 第一，国内新能源车进入存量竞争阶段，整车价格战向上传导，车规 IGBT 模块价格持续下行，行业内卷加剧，毛利率被持续压缩；光伏、储能领域 IGBT 同样供给增加，价格竞争激烈。 第二，公司持续扩产，自建 SiC 产线、芯片产线投入大，产能爬坡阶段利用率不足，折旧、制造费用抬升，进一步侵蚀利润。产线建设是长期布局，但短期会拖累报表利润。 积极的一面是 SiC 业务持续推进，第二代 SiC MOSFET 芯片完成研发，性能提升，已经批量配套 800V 高压车型，海外定点订单持续落地。SiC 产品的单价、毛利率显著高于传统 IGBT，如果后续出货放量，能够带动整体盈利修复。 业绩拐点，需要同时观察两个信号：功率器件价格止跌企稳、SiC 出货占比持续提升。

本文仅为行业与个股信息科普，不构成任何投资建议，半导体行业存在周期下行、价格竞争、下游需求不及预期、技术迭代、业绩波动等多重风险，股市有风险，入市需谨慎，请独立判断、自行承担投资风险。

关键词： 半导体周期，模块封装，海外定点，800V 高压平台