美国DARPA启动“低温逻辑技术”项目 进一步扩展功率密度以提高计算性能

美国国防高级研究计划局(DARPA)正在寻求高性能计算领域的创新。据HPCwire网站、DARPA官方网站等近日报道称，DARPA启动一项“低温逻辑技术”计划，其重点是进一步扩展功率密度以提高计算性能，从而解决到达摩尔定律扩展极限后所面临的问题。

高性能计算是国防应用的关键推动力，无论是战术边缘的数据处理，还是天气预报系统的动力支持都是如此。从发展历史上看，高性能计算的进展一直受到新一代集成电路技术的推动，包括晶体管密度、性能和能效的不断提高。

但是，由于一系列技术挑战(例如工作电压降低等)的存在，摩尔定律，这一传统晶体管背后的重要指导原则正在“放缓”。工程师们想以节能的方式跟上更快、更密集的计算需求，但常规技术的局限性使一切异常困难。

DARPA微系统技术办公室负责人表示：“现如今，我们正积极地达到摩尔定律的极限，并且面临着无法进一步扩展功率密度以提高计算性能的困境。”他认为，可行的解决方案是冷计算——虽然微电子器件通常设计为在室温下工作，但在更低的温度下器件特性会显著提升。极低温器件(工作于零下196摄氏度或更低温度的设备)有可能克服功率缩放的限制，但当人们将其应用于非常大规模的集成时就又遇到了挑战。

鉴于此，为克服以上障碍，DARPA着意开发“低温逻辑技术”项目。这一技术试图在接近液氮温度(约零下196摄氏度)下运行电子设备时，还能实现功率性能的显著提升。

该计划目标是通过对先进的超大规模集成工艺进行修改，来开发高性能、低温的互补金属氧化物半导体鳍式场效应晶体管。与在室温下运行的最新中央处理器相比，最终的技术应能够将性能/功耗提高25倍。

在实现目标的过程中，项目还将分为两个研究重点，简单说，第一个重点将是研究、开发和提供一种制造技术，以能够集成低温晶体管和在零下196摄氏度温度下的配套电路等;第二个重点将探讨相关兼容解决方案，从而应对零下196摄氏度温度下的各个技术挑战。